[发明专利]具有应力减少夹层的多层金属化有效
| 申请号： | 201210263057.1 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102903688A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | J.费尔斯特;M.施内甘斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;李家麟 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有应力减少夹层的多层金属化。一种用于半导体器件的布线结构包括：多层金属化，具有至少5μm的总厚度；以及夹层，设置于多层金属化中，其中夹层的第一侧邻接多层金属化的一层并且夹层的第二相反侧邻接多层金属化的不同层。夹层包括W、WTi、Ta、TaN、TiW和TiN或者其它适当化合物金属或者金属硅化物（比如WSi、MoSi、TiSi和TaSi）中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 减少 夹层 多层 金属化 | ||
【主权项】：
一种用于半导体器件的布线结构，所述布线结构包括：多层金属化，具有至少5μm的总厚度；以及夹层，设置于所述多层金属化中，其中所述夹层的第一侧邻接所述多层金属化的一层并且所述夹层的第二相反侧邻接所述多层金属化的不同层，所述夹层包括W、WTi、Ta、TaN、TiW、TiN、金属硅化物、WSi、MoSi、TiSi和TaSi中的至少一种。
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