[发明专利]基于亚铁磁体的可调谐三频负磁导率超材料及制备方法无效
| 申请号： | 201210258857.4 | 申请日： | 2012-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN102790283A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 文光俊;黄勇军;钟靖平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;无锡成电科大科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;B32B37/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 杨晞 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市无锡新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于亚铁磁体的可调谐三频负磁导率超材料及制备方法，属于微波材料技术领域。所述材料由亚铁磁体与印制有一种金属单环双磁谐振结构的印制电路板层叠而成。具体实现方法是由印制有单环双磁谐振结构阵列的印制电路板实现两个负磁导率频段，由亚铁磁体在外加直流磁场控制下实现另一负磁导率频段；通过改变外加直流磁场强度，同时智能控制三个负磁导率频段。本发明所构造的三频负磁导率超材料具有智能特性，能用于可调谐三频负折射率超材料、可调谐三频带通/带阻滤波器、可调谐三频电磁隐形材料和吸波材料等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 亚铁 磁体 调谐 三频负 磁导率 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于亚铁磁体的可调谐三频负磁导率超材料，其特征在于，该材料由金属单环双磁谐振环结构（1）、陶瓷基碳氢化合物合成基板（2）以及亚铁磁体（3）层叠构成。
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