[发明专利]绝缘栅极双极型晶体管控制电路有效
| 申请号： | 201210252273.6 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN102780474A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 唐志;严逢生;廖西征 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种绝缘栅双极型晶体管控制电路，包括IGBT，及第一负反馈电路和第二负反馈电路中的至少一个电路；第一负反馈电路的第一端与IGBT的栅极连接，第一负反馈电路的第二端与IGBT的辅助射极连接，用于在IGBT关断时降低IGBT的集电极和功率射极之间的电流变化速度；第二负反馈电路的第一端与IGBT的栅极连接，第二负反馈电路的第二端与IGBT的辅助射极连接，用于在IGBT开通时降低IGBT的集电极和功率射极之间的电流变化速度。通过控制IGBT的集电极和功率射极之间的电流变化率，可以减少对IGBT的损坏，进而保护了IGBT。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅极 双极型 晶体管 控制电路 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管控制电路，其特征在于，包括绝缘栅双极型晶体管，以及第一负反馈电路和第二负反馈电路中的至少一个电路；所述第一负反馈电路的第一端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述第一负反馈电路的第二端与所述绝缘栅双极型晶体管的功率射极连接，用于与绝缘栅双极型晶体管的寄生电感配合，在绝缘栅双极型晶体管关断时降低绝缘栅双极型晶体管的集电极和功率射极之间的电流变化速度；所述第二负反馈电路的第一端与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，所述第二负反馈电路的第二端与所述绝缘栅双极型晶体管的功率射极连接，用于与绝缘栅双极型晶体管的寄生电感配合，在绝缘栅双极型晶体管开通时降低绝缘栅双极型晶体管的集电极和功率射极之间的电流变化速度。
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