[发明专利]用于生产多晶硅的流化床反应器及制备多晶硅的方法有效

专利信息
申请号: 201210251718.9 申请日: 2012-07-20
公开(公告)号: CN102718219A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 郑飞龙;张华芹;黄小华 申请(专利权)人: 上海森松压力容器有限公司
主分类号: C01B33/029 分类号: C01B33/029
代理公司: 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 代理人: 马育鳞
地址: 200137 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种用于生产多晶硅的流化床反应器及制备多晶硅的方法,包括:流化床反应器外壳,所述流化床反应器外壳顶部设有种子硅进料口及尾气出口;所述流化床反应器外壳底部设有产品颗粒硅出料口;所述颗粒硅出料口与气体分布器底端相连,所述气体分布器和流化床反应器组成的下部腔体为工艺气体进气缓冲腔;所述工艺气体进气缓冲腔侧面设有工艺气体进气口;在所述气体分布器上面设有内置加热器;在所述内置加热器内圈设置内衬材料,所述内衬材料由内衬材料主体层和内衬材料沉积层构成。利用本发明生产多晶硅,可以实现多晶硅生产的连续性,降低多晶硅生产成本。
搜索关键词: 用于 生产 多晶 流化床 反应器 制备 方法
【主权项】:
用于生产多晶硅的流化床反应器,其特征在于:包括流化床反应器外壳,所述流化床反应器外壳顶部设有种子硅进料口及尾气出口;所述流化床反应器外壳底部设有产品颗粒硅出料口;所述流化床反应器内的下部设有气体分布器,所述气体分布器底端与颗粒硅出料口相连,所述气体分布器和流化床反应器组成的下部腔体为工艺气体进气缓冲腔;所述工艺气体进气缓冲腔侧面设有工艺气体进气口;在所述气体分布器上方设有内置加热器;所述内置加热器内圈设置内衬材料。
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