[发明专利]一种超高密度磁记录用FePt/X纳米复合薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201210251543.1 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102800333A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 陆伟;何晨冲;陈哲;严彪 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/851 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 许亦琳;余明伟 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁记录材料领域，具体涉及一种具有垂直取向、磁性能优良、颗粒尺寸小于10纳米且颗粒间交换耦合作用较小的FePt/X纳米复合薄膜及其制备方法；该FePt/X纳米复合薄膜包括基底、取向为（200）的MgO诱导层、以及在MgO诱导层上交替沉积的多层FePt薄膜和X薄膜，X选自Ag、MgO、C、SiO2或Al2O3；其制备为采用MgO作为诱导层，实现FePt磁性层的外延生长以及垂直取向；并通过退火，诱发FePt/X薄膜完成L10FePt相的有序化，形成颗粒结构的纳米复合薄膜。本发明具有制备方法简单、成本低、产品性能好等优点，适合应用于超高密度垂直磁记录介质的生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 密度 记录 fept 纳米 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种FePt/X纳米颗粒复合薄膜，由下至上依次设有基板、（200）取向的MgO诱导层，以及FePt/X复合膜；所述FePt/X复合膜按照先FePt薄膜后X薄膜的顺序，由FePt薄膜和X薄膜交替设置而成，其化学组成为[FePt/X]n，其中X选自Ag、MgO、C、SiO2或Al2O3，n为FePt/Ag复合膜的周期数，并且2≤n≤10。
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