[发明专利]碳基透明电极/铁酸铋光伏器件及其制备方法无效
申请号: | 201210247686.5 | 申请日: | 2012-07-17 |
公开(公告)号: | CN102760779A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | 谢丹;武潇;臧永圆;任天令;陈昱;冯婷婷;李虓;朱宏伟 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及碳基透明电极/铁酸铋光伏器件及其制备方法,属于半导体器件技术领域;该光伏器件包括在衬底上从上至下依次层叠的有机保护层、前电极、铁酸铋光伏材料薄膜、后电极;所述前电极采用单层、双层或多层石墨烯薄膜或碳纳米膜中的任一种,厚度为0.5-10nm;所述铁酸铋光伏材料薄膜的厚度为100-1000nm。该方法主要包括将浸泡在FeCl3溶液中的碳基透明电极薄膜转移至铁酸铋薄膜之上;本发明获得的光伏器件具有铁电、铁磁效应对光伏特性的调制作用,光伏器件透明度高;且制备工艺较简单。 | ||
搜索关键词: | 透明 电极 铁酸铋光伏 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碳基透明电极/铁酸铋光伏器件,其特征在于,该光伏器件包括在衬底上从上至下依次层叠的有机保护层、前电极、铁酸铋光伏材料薄膜、后电极;所述前电极采用单层、双层或多层石墨烯薄膜或碳纳米膜中的任一种,厚度为0.5‑10nm;所述铁酸铋光伏材料薄膜的厚度为100‑1000nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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