[发明专利]一种应变SiGe回型沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种应变SiGe回型沟道SOI BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区区域，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，制备发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；光刻NMOS器件有源区，在该区域外延生长五层材料形成NMOS器件有源区；光刻PMOS器件有源区，在该区域外延生长三层材料形成PMOS器件有源区，制备NMOS器件，形成PMOS器件虚栅极，利用自对准工艺注入形成PMOS器件源、漏；刻蚀虚栅，完成PMOS器件制备，形成MOS器件导电沟道为22～45nm的应变SiGe回型沟道SOI BiCMOS集成器件及电路；本发明的制备过程采用自对准工艺，并充分了利用应变SiGe材料载流子迁移率各向异性的特点，制备出了性能增强的应变SiGe回型沟道SOI BiCMOS集成电路。

主权项

一种应变SiGe回型沟道SOI BiCMOS集成器件，其特征在于，所述BiCMOS器件采用SOI双多晶SiGe HBT器件，应变SiGe垂直沟道NMOS器件和应变SiGe平面沟道PMOS器件。