[发明专利]三维纳米多孔InP阵列结构材料的制备方法无效
| 申请号： | 201210240072.4 | 申请日： | 2012-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102938381A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 翁占坤;袁安刚;米伟勋;王作斌;宋正勋;许红梅;刘兰娇;于淼;胡贞 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/465 | 分类号： | H01L21/465 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 三维纳米多孔InP阵列结构材料的制备方法，其特征在于，在恒定电流模式下，通过控制电化学参数，使电化学刻蚀InP过程中形成电压的自适应振荡，实现电化学可控制备InP三维纳米多孔阵列结构材料。本发明适于制备InP及其它化合物半导体材料三维纳米多孔阵列结构材料，最小单元特征尺寸可达到100纳米，所采用的电化学刻蚀工艺具有高效、廉价、简便、可在大气环境下进行等优点，便于推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 纳米 多孔 inp 阵列 结构 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
三维纳米多孔InP阵列结构材料的制备方法，其特征在于，在恒定电流模式下，通过控制电化学参数，使电化学刻蚀InP过程中形成电压的自适应振荡，实现电化学可控制备InP三维纳米多孔阵列结构材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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