[发明专利]一种具有可调节电势分布的半导体装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有可调节电势分布的半导体装置；本发明的半导体装置由主结和副结并联构成，其中副结为多个PN结串联构成；当半导体装置接反向偏压时，电势在副结上形成可控制的分布，从而改变主结的漂移区的电势分布，因此可以实现比传统PN结更高反向阻断压降；本发明的半导体结适合应用于平面结构的器件。

主权项

一种具有可调节电势分布的半导体装置，其特征在于：包括：主结，为单个半导体结，具有半导体材料构成的漂移区；副结，为多个半导体结串联构成，临靠主结，副结与主结首尾并联，同时在主结的漂移区和副结之间通过绝缘材料进行隔离，副结临靠包裹主结的侧面或表面。