[发明专利]一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法有效
| 申请号： | 201210234053.0 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN103531447A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 姜辛;刘宝丹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法，属于半导体技术和纳米技术领域。该方法是在生长衬底和初始缓冲层之间引入与衬底晶格不匹配的阻挡层，用于阻挡缺陷由衬底向氮化镓纳米线阵列晶体内部扩散，然后利用自组装技术和同质外延生长技术在缓冲层表面形成氮化镓缓冲层和实现同质外延生长形成氮化镓纳米线阵列；本发明能够显著抑制缺陷从衬底向其表面晶体内部传播，从而保证氮化镓半导体材料具有较强本征带隙发光及非常弱的缺陷发光，达到半导体器件对材料晶体缺陷密度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 氮化 纳米 阵列 晶体缺陷 密度 方法 | ||
【主权项】：
一种降低氮化镓纳米线阵列晶体缺陷密度的方法，其特征在于：该方法是在生长衬底和初始缓冲层之间引入与衬底晶格不匹配的阻挡层，用于阻挡缺陷由衬底向氮化镓纳米线阵列晶体内部扩散，然后利用自组装技术在初始缓冲层表面形成氮化镓缓冲层和实现同质外延生长形成氮化镓纳米线阵列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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