[发明专利]掺镱钇钆铝石榴石晶体及其生长方法无效
| 申请号： | 201210208407.4 | 申请日： | 2012-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102691104A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张学建;李春;曾繁明;赵春雷;林海;谷亮;刘景和;金华 | 申请（专利权）人： | 吉林建筑工程学院 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B15/00 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130118 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 掺镱钇钆铝石榴石晶体及其生长方法属于光电子材料技术领域。现有Yb:Y3Al5O12晶体掺杂浓度低、掺杂均匀性差，作为激光材料难以获得大功率激光输出。现有Yb:Y3Al5O12晶体生长方法由于Yb:Y3Al5O12熔点高，如1950℃，因而铱坩埚中的铱挥发量大，负面作用大，晶体质量差、尺寸小。本发明之掺镱钇钆铝石榴石晶体分子式为Yb:Y2GdAl5O12，晶体基质为钇钆铝石榴石。本发明之掺镱钇钆铝石榴石晶体生长方法其生长料组分还包括氧化钆，氧化钇、氧化钆、氧化铝化学计量比为Y2O3:Gd2O3:Al2O3=2:1:5，当确定加入x摩尔氧化镱后，Gd2O3的加入量需要在所述化学计量比的基础上减少（1-x）摩尔，晶体生长工艺参数确定为：提拉速度0.5~0.8mm/h，旋转速度12~18rpm，生长温度1880℃。 | ||
| 搜索关键词： | 掺镱钇钆铝 石榴石 晶体 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种掺镱钇钆铝石榴石晶体，属于立方晶系，稀土元素镱为掺杂离子，其特征在于，所述掺镱钇钆铝石榴石晶体分子式为Yb:Y2GdAl5O12，晶体基质为钇钆铝石榴石。
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