[发明专利]基于Nand Flash的数据写入方法无效
| 申请号： | 201210206632.4 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103514097A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 梁雄;胡胜发 | 申请（专利权）人： | 安凯（广州）微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 510663 广东省广州市萝岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种基于Nand Flash的数据写入方法及其装置，该数据写入方法包括：在内存中建立缓冲区；将所述内存中需要回写至Nand Flash的数据划分为多个缓冲阵列数据；依据第一映射关系，将所述多个缓冲阵列数据依次写入所述缓冲区；依据第二映射关系，将所述缓冲区中的单个缓冲阵列数据写入Nand Flash内的保存区；根据本发明实施例提供的数据写入方法及其装置，将缓冲区中的单个缓冲阵列数据回写至Nand Flash内的保存区，能够减少单次从内存回写至Nand Flash的数据量，从而能够缩短单次回写的时间，进而提高系统的实时性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 nand flash 数据 写入 方法 | ||
【主权项】：
基于Nand Flash的数据写入方法，其特征在于，包括：在内存中建立缓冲区；将所述内存中需要回写至Nand Flash的数据划分为多个缓冲阵列数据；依据第一映射关系，将所述多个缓冲阵列数据依次写入所述缓冲区，其中所述第一映射关系为所述内存中存储所述数据的存储区与所述缓冲区之间的映射关系；依据第二映射关系，将所述缓冲区中的单个缓冲阵列数据写入Nand Flash内的保存区，其中所述第二映射关系为所述缓冲区与所述保存区之间的映射关系。
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