[发明专利]包覆结构复合导电陶瓷材料和阴极接触层及其制备方法有效
| 申请号： | 201210204052.1 | 申请日： | 2012-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN103427092A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 辛显双;王绍荣;钱继勤;占忠亮;温廷琏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01M4/86 | 分类号： | H01M4/86;H01M4/88 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包覆结构复合导电陶瓷材料和阴极接触层及其制备方法，所述复合导电陶瓷材料可作为SOFC阴极-连接体之间的接触层，具有由尖晶石结构相包覆钙钛矿结构相形成的包覆结构。此类复合材料在表现出还原尖晶石材料的低温烧结活性的同时，由于高致密度及高电导钙钛矿颗粒的使用，可有效地提高复合材料的电导性能，其结合了钙钛矿电导率高及还原后的尖晶石粉体烧结活性好的优点。此类包覆结构复合材料成本低廉，性能优越，有望取代昂贵的贵金属作为接触层材料，可极大地降低SOFC制备成本，具有极高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 复合 导电 陶瓷材料 阴极 接触 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种包覆结构复合导电陶瓷材料，用于SOFC阴极‑连接体之间的接触层，其特征在于，所述复合导电陶瓷材料具有由尖晶石结构相包覆钙钛矿结构相形成的包覆结构。
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