[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

摘要

一种离子注入方法，其中在射束扫描方向扫描离子束并且在与射束扫描方向垂直的方向机械地扫描晶圆，该方法包括将相对于所述离子束的晶圆旋转角度设定使得为是变化的，其中，以阶梯的方式改变所述晶圆旋转角度的设定角度，从而以每个设定角度将离子注入所述晶圆，以及其中，在晶圆旋转一次期间的多次离子注入操作中的以各个设定角度的离子注入中，将晶圆扫描区域长度设定为是变化的，并且同时，改变离子束的射束扫描速度，从而将所述离子注入所述晶圆并且对其他半导体制造工艺中的晶圆表面内剂量不均匀性进行校正。

主权项

一种离子注入方法，在所述方法中，沿射束扫描方向扫描离子束，并且沿与所述射束扫描方向垂直的方向机械地扫描晶圆，从而将离子注入所述晶圆，所述方法包括：将相对于所述离子束的晶圆旋转角度设定为是变化的，其中，以阶梯方式改变所述晶圆旋转角度的设定角度，从而以每个设定角度将离子注入所述晶圆，并且其中，在所述晶圆的一次旋转期间的多次离子注入操作中的以每个设定角度的离子注入中，将用于对机械地扫描所述晶圆的范围进行调节的晶圆扫描区域长度设定为是变化的，并且同时，改变所述离子束的射束扫描速度，从而将所述离子注入所述晶圆并且对其他半导体制造工艺中的晶圆表面内的剂量不均匀性进行了校正，所述离子束的照射区域长度超过所述晶圆的直径，被设定为是变化的所述晶圆扫描区域长度小于所述晶圆的直径，当一次注入操作完成时，在所述晶圆内出现未被注入离子的区域以及被注入离子的区域，接着，改变相对于所述离子束的所述晶圆旋转角度并执行离子注入，通过反复多次地执行该操作，将离子注入所述晶圆的表面内的整个表面区域。