[发明专利]成膜方法和成膜装置

摘要

本发明涉及成膜方法和成膜装置。该成膜方法是向收纳被处理体W且可抽真空的处理容器内供给含硼气体、氮化气体、硅烷系气体和烃气体，在被处理体的表面上形成含有硼、氮、硅和碳的薄膜的成膜方法，具有：第1工序，进行1次以上交替间歇地供给含硼气体和氮化气体的循环而形成BN膜；第2工序，进行1次以上间歇地供给硅烷系气体、烃气体和氮化气体的循环而形成SiCN膜。由此，形成实现了低介电常数化、湿式蚀刻耐性的提高以及漏电流减少化的含硼、氮、硅和碳的薄膜。

主权项

一种成膜方法，其特征在于，是向收纳被处理体且可抽真空的处理容器内供给含硼气体、氮化气体、硅烷系气体和烃气体，在所述被处理体的表面形成含有硼、氮、硅和碳的薄膜的成膜方法，具有：第1工序，进行1次以上交替间歇地供给所述含硼气体和所述氮化气体的循环而形成BN膜，和第2工序，进行1次以上间歇地供给所述硅烷系气体、所述烃气体和所述氮化气体的循环而形成SiCN膜。