[发明专利]潘宁负离子源陶瓷中子管

摘要

本发明属于改进的可关断中子源，具体涉及一种潘宁负离子源陶瓷中子管。本发明采用PIG型负离子源，产生氘（D）、氚（T）的负离子。离子源采用侧向引出或偏心引出方式，靶上加正高压，在去除引出束流中电子的情况下，引出束流都是单原子负离子，产生中子的束流利用率可以达到100%．采用这种结构的中子管在相同高压和束流下中子产额，比以往中子管提高大约2个数量级。以Φ50管为例，改进后寿命提高10倍以上，产额提高约100倍，稳定性不大于3％，成品率高于90％。

主权项

潘宁负离子源陶瓷中子管，其特征是圆形轴对称结构，离子源、加速系统、靶和气压调节系统全部密封在一支陶瓷管内，3为铜头，上面罩4、离子源陶瓷管8、加速筒陶瓷管12、引出电极11、加速筒13、靶15依次封接在一起，储存器14焊接在储存器电极2和接地电极5之间；阳极筒6中心轴与中子管轴垂直，阳极筒6和扩张杯16焊接并和铜头3上的离子源电极2焊接在一起；或者阳极筒6竖直放置，并且中心轴和中子管轴重合，同时阳极筒6和铜头3上的离子源电极2点焊在一起，然后将铜头3放入上面罩4中，并和上面罩4焊接在一起，靶15和加速筒13下边沿焊接在一起，使用时在中子管的外部将离子源磁钢7放于阳极筒6的轴对称位置，将上偏转磁钢9和下偏转磁钢10互成900，错位放于加速筒陶瓷管12外位于引出电极11处，此两组偏转磁钢所占区域小于引出电极11的长度，中子管内部所有零部件必须保持同轴。