[发明专利]一维光子晶体全可见光波段单通道超窄带滤波器有效
申请号: | 201210186163.4 | 申请日: | 2012-06-07 |
公开(公告)号: | CN102681069A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 杨毅彪;张琳;韩昌盛;魏循;李祥霞;田东康 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20 |
代理公司: | 太原华弈知识产权代理事务所 14108 | 代理人: | 李毅 |
地址: | 030024 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明公开了一维光子晶体全可见光波段单通道超窄带滤波器,是在由两种不同介电材料按照相同的周期交替排列而成的有限周期的一维光子晶体中加入缺陷层组成,其结构组成为[A/B]m[C][A/B]n,组成滤波器的介电材料A、B、C的介电常数分别是1.96、16.00、5.76。滤波器晶格常数a=126nm,A、B、C的厚度分别为d1=93nm、d2=33nm、d3=159nm,m和n代表缺陷两侧一维光子晶体的周期数,在3~4之间变化。本发明的滤波器采用较少的周期数即可实现超窄带滤波功能,导带波长范围514.9nm~515.1nm。禁带波长基本覆盖全可见光范围。 | ||
搜索关键词: | 光子 晶体 可见光 波段 通道 窄带滤波器 | ||
【主权项】:
一维光子晶体全可见光波段单通道超窄带滤波器,其特征是在由两种不同的介电材料按照相同的周期交替排列而成的有限周期的一维光子晶体[A/B]中加入缺陷层C组成,其结构组成为[A/B]m[C][A/B]n,其中,m和n代表缺陷层两侧一维光子晶体的周期数,周期数m和n分别为3或4;组成一维光子晶体[A/B]的介电材料A、B的介电常数分别为1.96和16.00,一维光子晶体[A/B]的晶格常数a为126nm,其中A的厚度d1=93nm,B的厚度d2=33nm,缺陷层材料C的介电常数为5.76,缺陷层厚度d3=156nm。
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