[发明专利]一种太阳能电池光阳极的微纳复合结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210179386.8 申请日: 2012-06-01
公开(公告)号: CN102738298B 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 廖广兰;史铁林;盛文军;孙博;张康;汤自荣;夏奇 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 朱仁玲
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种用于太阳能电池光阳极的微纳复合结构及其制备方法,包括:S1:在硅片上匀胶并进行光刻,制作微尺度光刻胶圆盘图形;S2:以光刻胶为掩膜,使用ICP干法刻蚀出微米级硅柱阵列;S3:将带有微米级硅柱阵列的硅片采用SPM工艺清洗并去除微米级硅柱表面的氧化层;S4:进行电化学镀在微米级硅柱表面镀一层银;S5:采用刻蚀剂进行金属催化刻蚀,在微米级硅柱表面制作纳米线并形成微纳复合结构;S6:去除微米级硅柱表面残留的银,并对微纳复合结构进行掺杂使纳米线整体及微米级硅柱表面为N型。本发明提供的微纳复合结构中纳米线垂直于微米柱表面,表面积大,陷光能力强,载流子收集效率高,适合制备高效率的太阳能电池。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 阳极 复合 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
一种太阳能电池光阳极的微纳复合结构的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:S1:在硅片上匀胶并进行光刻,制作微尺度光刻胶圆盘图形;S2:以光刻胶为掩膜,使用ICP干法刻蚀出微米级硅柱阵列;S3:将带有微米级硅柱阵列的硅片采用SPM工艺清洗并去除微米级硅柱表面的氧化层;S4:进行电化学镀在所述微米级硅柱表面镀一层银;S5:采用刻蚀剂进行金属催化刻蚀,在微米级硅柱表面制作纳米线并形成微纳复合结构;S6:去除所述微米级硅柱表面残留的银,并对微纳复合结构进行掺杂使纳米线整体及微米级硅柱表面为N型;步骤S4中使用包含有HF和AgNO3的溶液进行电化学镀;HF的浓度为1mol/L‑20mol/L,AgNO3的浓度为0.001mol/L‑0.02mol/L,镀膜时间为0.5min‑5min;步骤S5中所述刻蚀剂包括HF和H2O2的溶液,HF浓度为1mol/L‑20mol/L,H2O2浓度为0.1mol/L‑1mol/L,刻蚀时间为1min‑30min。
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