[发明专利]图像传感器装置及其制造方法无效
申请号: | 201210175361.0 | 申请日: | 2012-05-31 |
公开(公告)号: | CN103325798A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | V.奥加涅相 | 申请(专利权)人: | 奥普蒂兹公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马丽娜;刘春元 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种图像传感器装置及其制造方法,该图像传感器装置包括具有前和后相对表面的衬底、形成在前表面处的多个光电探测器、形成在前表面处的电耦合到光电探测器的多个接触焊盘。多个腔体形成在衬底的后表面中使得每个腔体被布置在光电探测器之一的上方。具有不同于衬底的那些的光吸收特性的吸收补偿材料被布置在腔体中。多个滤色器均被布置在光电探测器之一的上方。该多个光电探测器被配置用于响应于通过滤色器的光入射而产生电信号。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种图像传感器装置,包括:具有前和后相对表面的衬底;形成在前表面处的多个光电探测器;形成在前表面处的电耦合到光电探测器的多个接触焊盘;均形成在后表面之中和光电探测器之一的上方的多个腔体;布置在腔体中的吸收补偿材料,其中该吸收补偿材料具有不同于衬底的那些的光吸收特性;均布置在光电探测器之一的上方的多个滤色器;其中该多个光电探测器被配置用于响应于通过滤色器的光入射而产生电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的