[发明专利]一种多晶硅还原炉无效
| 申请号： | 201210174662.1 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102701210A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 徐予晗 | 申请（专利权）人： | 四川瑞能硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 钱成岑;詹永斌 |
| 地址： | 620041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅还原炉，属于多晶硅生产技术领域。所述多晶硅还原炉的炉盘上，设置有导流隔热罩为进入还原炉的物料提供导流的空间，使物料能够强制上升到炉筒内的顶部。本发明的一种多晶硅还原炉，能够在反应中为多晶硅棒上下部都提供充足的物料进行反应并维持合适的温度，避免产生玉米花状多晶硅和熔断现象，同时还能够达到还原炉的节能降耗目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 还原 | ||
【主权项】：
一种多晶硅还原炉，包括有炉盘（1），炉筒（4），设置于炉盘上的电极对（3）、进气喷嘴（5）和尾气出口（6），其特征在于：所述炉盘（1）的中部，设置有圆筒结构的导流隔热罩Ⅰ（2）；所述电极对（3）和进气喷嘴（5）均设置在导流隔热罩Ⅰ（2）外侧的炉盘（1）上；所述尾气出口（6）设置在导流隔热罩Ⅰ（2）内侧的炉盘（1）上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川瑞能硅材料有限公司，未经四川瑞能硅材料有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210174662.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种电化铝烫金膜的着色涂层涂覆液
- 下一篇：烧结球团粉料接受储存与配料系统
