[发明专利]硅烷交联聚烯烃绝缘电线无效
| 申请号： | 201210171534.1 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102820080A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 安田周平 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01B7/02 | 分类号： | H01B7/02;H01B3/44;H01B13/14;C08L23/06;C08K5/5425;C08K5/31;C08F255/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金鲜英;陈彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅烷交联聚烯烃绝缘电线，使用代替担心有害性的有机锡化合物的交联促进剂、且能够得到与有机锡化合物同等的交联速度。本发明的硅烷交联聚烯烃绝缘电线是在导体（1）的外周挤出被覆至少一层硅烷交联聚烯烃绝缘被覆层（2）而成的绝缘电线（3），硅烷交联聚烯烃绝缘被覆层（2）由通过使水分作用于侧链具有烷氧基甲硅烷基的聚烯烃类而被交联了的硅烷交联聚烯烃构成，作为促进聚烯烃交联的交联促进剂，相对于每100质量份所述聚烯烃，配合0.05质量份以上0.5质量份以下的在760mmHg环境下的沸点为170℃以上、熔点低于190℃的胍衍生物。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 交联 烯烃 绝缘 电线 | ||
【主权项】：
一种硅烷交联聚烯烃绝缘电线，其特征在于，是将导体和至少一层绝缘被覆层挤出成型而成的电线，所述绝缘被覆层由通过使水分作用于侧链具有烷氧基甲硅烷基的聚烯烃类而被交联得到的硅烷交联聚烯烃构成，作为促进所述聚烯烃交联的交联促进剂，相对于每100质量份所述聚烯烃，配合0.05质量份以上0.5质量份以下的在760mmHg环境下的沸点为170℃以上、熔点低于190℃的胍衍生物。
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