[发明专利]陶瓷散热基板导电插孔的形成方法无效

专利信息
申请号: 201210167832.3 申请日: 2012-05-25
公开(公告)号: CN103429010A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 曹茂松;陈文生;叶小彰;黄成财;杨士贤 申请(专利权)人: 大毅科技股份有限公司
主分类号: H05K3/42 分类号: H05K3/42;H05K3/24
代理公司: 北京维澳专利代理有限公司 11252 代理人: 马佑平;王立民
地址: 中国台湾桃园县芦*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种陶瓷散热基板导电插孔的形成方法,其形成步骤包括:基板制备步骤;钻孔步骤;印刷银胶填孔步骤;溅镀步骤;电镀铜步骤;光阻层形成步骤;曝光步骤;显影步骤;蚀刻步骤;光阻层去除步骤;线路成型步骤;镀镍/溅镀步骤;镀银步骤;经过前述形成步骤,可制得具有理想导热效率、低成本及物理性稳定的导电插孔。
搜索关键词: 陶瓷 散热 导电 插孔 形成 方法
【主权项】:
一种陶瓷散热基板导电插孔的形成方法,依次采用如下步骤:基板制备步骤:选用氧化铝基板或氮化铝基板作为主基板;钻孔步骤:以雷射钻孔技术在基板上预定位置钻孔,而在基板上形成多个预定孔径的孔洞;种子层形成步骤:将导电材料镍铜锰、镍铬、钛钨或镍铜以溅镀法在基板上形成种子层;电镀铜步骤:在种子层上电镀铜层,以增加种子层的厚度;图形成像步骤:经由光阻层形成步骤、曝光步骤、显影步骤、蚀刻步骤和光阻层去除步骤,在基板上形成线路涂层;线路成型步骤:在线路涂层上方镀铜以形成线路;镀镍步骤:在铜线路表面镀上镍层,以避免铜线路中的铜离子迁移或上方的银离子迁移到铜层;镀银步骤:在前述铜线路的表面上再镀上银层。
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