[发明专利]基于人工电磁材料的太赫兹波非对称传输器件有效
| 申请号： | 201210162632.9 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102692732A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 史金辉;刘星辰;朱正;关春颖;王政平 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种基于人工电磁材料的太赫兹波非对称传输器件。包括介质层和双层人工电磁材料层；所述的介质层位于双层人工电磁材料层之间，介质层是单晶硅或者有机高分子聚合物介质材料，厚度为微米量级；所述的双层人工电磁材料层位于介质层两侧的表面，双层人工电磁材料层均由周期性排列的人工电磁材料基本单元构成，其膜层厚度为200纳米以上；所述人工电磁材料层的基本单元为一定宽度的直线型、L型或者连续U型的金属结构。本发明的太赫兹波非对称传输器件具有强的线偏振转换二向色性，双层手性结构实现了太赫兹线偏振波转换的非对称传输。可实现太赫兹波隔离器或太赫兹波二极管，对太赫兹人工电磁材料功能器件的发展具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 人工 电磁 材料 赫兹 对称 传输 器件 | ||
【主权项】：
一种基于人工电磁材料的太赫兹波非对称传输器件，包括介质层和双层人工电磁材料层；其特征在于：所述的介质层位于双层人工电磁材料层之间，介质层是单晶硅或者有机高分子聚合物介质材料，厚度为微米量级；所述的双层人工电磁材料层位于介质层两侧的表面，双层人工电磁材料层均由周期性排列的人工电磁材料基本单元构成，其膜层厚度为200纳米以上；所述人工电磁材料层的基本单元为一定宽度的直线型、L型或者连续U型的金属结构。
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