[发明专利]超薄晶硅电池结构

摘要

一种可使晶硅电池内部光电转换过程中所用光学和电学增效结构的增效效果实现最优的超薄晶硅电池结构，包括上表面介质反射镜、正面设有阶梯状刻蚀槽的P型晶硅片、下表面介质反射镜，上、下表面介质反射镜分别设在P型晶硅片正面和背面，并与刻蚀槽一起构成准三维微腔陷光结构，在与刻蚀槽对应的上表面介质反射镜的中心位置设有采光孔，在上表面介质反射镜上设有光学缓冲层和平凸透镜，沿刻蚀槽内壁设有N型掺杂区域，其与P型衬底形成PN结，并在刻蚀槽内填充介质，在晶硅片背面设有P­+型掺杂区域，在N­型掺杂区域设有N+掺杂区域，在N+型掺杂区域上经由上表面介质反射镜引出选择性发射极，在P­+型掺杂区域上经由下表面介质反射镜引出背场电极。

主权项

一种超薄晶硅电池结构，其特征是：包括平凸透镜、上表面介质反射镜、正面设有阶梯状刻蚀槽的P型晶硅片和下表面介质反射镜，所述上、下表面介质反射镜分别设在P型晶硅片正面和背面，并构成准三维微腔陷光结构，在上表面介质反射镜上对应刻蚀槽中心位置设有采光孔，所述平凸透镜设在与刻蚀槽对应的上表面介质反射镜表面且在平凸透镜和上表面介质反射镜之间设有起光程调整和聚焦作用的光学缓冲层，沿P型晶硅片的刻蚀槽内壁设有N型掺杂区域形成PN结，并在刻蚀槽内填充介质，在晶硅片背面设有P­+型掺杂区域，在晶硅片正面刻蚀槽周围的N­型掺杂区域设有N+掺杂区域，在N+型掺杂区域上位于准三维微腔周围经上表面介质反射镜引出选择性发射极，在P­+型掺杂区域上经由下表面介质反射镜引出背场电极。