[发明专利]一种双面受光异质结单晶硅薄膜太阳能电池

摘要

目前单晶硅太阳电池需藉由扩散炉等高温工艺来制作，会造成高耗能的产生。此外单晶硅太阳电池于使用上对于环境温度的提升会有很大的衰竭现象（-0.5%/℃），而非晶硅工艺流程的温度远低于单晶硅且对于温度的衰竭现象亦不若单晶硅来的严重(-0.2%/℃)，因此结合此两种技术，而形成了异质结单晶硅薄膜，其光电转换效率可使原先的单晶硅太阳电池提升至20%以上。本发明为一种可优化提升单晶硅太阳电池转化效率的新颖发明，利用非晶硅在单晶硅上面的沈积成膜搭配，形成异质结结构，而非晶硅与透明导电膜沈积的顺序，则为达成高效率的重要途径，而本发明即为提出此沈积顺序以形成最佳的单晶硅表面钝化作用以及减少表面污染的影响，进而达到高效率的异质结单晶硅薄膜。

主权项

本发明为一种可优化提升单晶硅太阳电池转化效率的新颖发明，利用非晶硅在单晶硅上面的沈积成膜搭配，形成异质结结构，而非晶硅与透明导电膜沈积的顺序，则为达成高效率的重要途径，而本发明即为提出此沈积顺序以形成最佳的单晶硅表面钝化作用以及减少表面污染的影响，进而达到高效率的异质结单晶硅薄膜，其特徵为为先在清洗制绒后的N型单晶硅的背面利用等离子增强式化学气相沉积设备依序沉积I型氢化非晶硅薄膜与N型氢化非晶硅薄膜，接下来将整个硅片翻面，于正面依序沈积I型氢化非晶硅薄膜与P型氢化非晶硅薄膜，接着再利用磁控溅射或是反应式物理气相沈积设备，先在P型非晶硅薄膜上沈积透明导电膜，接着于N型非晶硅薄膜上沈积透明导电膜，最后利用网版印刷于正背面将银导线布上，则完成此高效率异质结单晶硅薄膜太阳电池。