[发明专利]覆晶载板的锡球凸块的回焊与整平方法及其回焊整平设备有效
申请号: | 201210142053.8 | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN103390561A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 费耀祺 | 申请(专利权)人: | 鸿骐新技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;吕俊清 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种覆晶载板的锡球凸块的回焊与整平方法,包括下列步骤:提供一基板载台于一容置腔体内,将具有多个锡球凸块的覆晶载板置于该基板载台上,提供一具平坦底面的压合头座于基板载台上方,提供一盖体盖合该容置腔体以形成一密闭腔室并灌入氮气,然后抽取真空;加热基板载台以使锡球凸块到达熔点,并加热压合头座到接近锡球凸块的熔点;向下移动压合头座使的接触覆晶载板上的锡球凸块达一预定的时间,使些锡球凸块的顶缘呈平面状且呈共平面,降低压合头座的温度,然后移开压合头座以及盖体,最后移出该覆晶载板。本发明另提供其回焊整平设备。本发明不用施加巨大的力量于覆晶载板,可避免覆晶载板的锡球凸块在整平过程中不慎被压损。 | ||
搜索关键词: | 覆晶载板 锡球凸块 平方 及其 回焊整平 设备 | ||
【主权项】:
一种覆晶载板的锡球凸块的回焊与整平方法,其特征在于,包括:提供一基板载台于一容置腔体内,将一覆晶载板置于该基板载台上,该覆晶载板形成有多个锡球凸块;提供一具加热能力的压合头座于该基板载台的上方,该压合头座具有一平坦底面;提供一盖体,盖合该容置腔体以形成一密闭腔室;灌入氮气于该密闭腔室内,然后抽取真空;加热该基板载台以使这些锡球凸块到达熔点,并加热该压合头座到接近这些锡球凸块的熔点;向下移动该压合头座,使该压合头座接触该覆晶载板上的这些锡球凸块达一预定的时间,使这些锡球凸块的顶缘呈平面状且呈共平面;降低该压合头座的温度,然后移开该压合头座;移开该盖体;及移出该覆晶载板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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