[发明专利]MOSFET短路测试装置无效
| 申请号： | 201210127717.3 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103376384A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 杨富森 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种MOSFET短路测试装置，用于测试一MOSFET是否短路，所述MOSFET短路测试装置包括主控制器、驱动电路以及温度采集电路，所述驱动电路电性连接至所述MOSFET的源极及漏极，用于提供一驱动电流至所述MOSFET的源极或漏极，当所述MOSFET短路时，所述MOSFET源极、漏极及所述驱动电路之间形成电流通路，所述MOSFET温度升高；所述温度采集电路用于感测所述MOSFET的温度，并将感测到的温度值输出至所述主控制器；所述主控制器用于判断所述温度值是否高于一预设温度值，以相应判断出所述MOSFET是否短路。所述MOSFET短路测试装置能方便地测试所述MOSFET是否短路。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 短路 测试 装置 | ||
【主权项】：
一种MOSFET短路测试装置，用于测试一MOSFET是否短路，其特征在于：所述MOSFET短路测试装置包括主控制器、驱动电路以及温度采集电路，所述驱动电路电性连接至所述MOSFET的源极及漏极，用于经由所述MOSFET的源极或漏极提供一驱动电流至所述MOSFET，当所述MOSFET短路时，所述MOSFET源极、漏极及所述驱动电路之间形成电流通路，所述MOSFET温度升高；所述温度采集电路用于感测所述MOSFET的温度，并将感测到的温度值输出至所述主控制器；所述主控制器用于判断所述温度值是否高于一预设温度值，以相应判断出所述MOSFET是否短路。
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