[发明专利]N型太阳能电池片及其制造方法有效
申请号: | 201210122354.4 | 申请日: | 2012-04-24 |
公开(公告)号: | CN102637776A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 徐卓;熊景峰;胡志言;安海娇;王红芳 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0248 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种N型太阳能电池片及其制造方法,在扩散制结过程中,采用扩散工艺形成N型重掺杂背场,所述背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度;在印刷电极过程中,采用银铝浆制作所述电池片正面和背面的栅线。本发明实施例将制作栅线的银浆改为银铝浆,同时增加N型背场的掺杂浓度,避免了铝硅合金结对电池片本身性能的影响,利用铝的热膨胀系数介于银和硅之间,且更接近于硅的热膨胀系数,在烧结过程中,银铝浆中的铝颗粒一方面可与银颗粒进行混合,另一方面还可与硅形成铝硅合金,即铝颗粒会处于硅基底与银的间隙内,改善了应力特性,减小了电池片的串联电阻,提高了填充因子FF,增大了电池片的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种N型太阳能电池片制造方法,包括电池片表面的制绒过程、扩散制结过程、周边等离子刻蚀过程、沉积减反射膜过程和印刷电极过程,其特征在于,在扩散制结过程中,采用扩散工艺形成N型重掺杂背场,所述背场的表面掺杂浓度大于常规N型太阳能电池片的背场表面掺杂浓度;在印刷电极过程中,采用银铝浆制作所述电池片正面和背面的栅线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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