[发明专利]一种双面微影蚀刻新制程有效
| 申请号： | 201210115744.9 | 申请日： | 2007-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN102662304A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 塩田英和;郭光埌 | 申请（专利权）人： | 新应材股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;C09D161/06;C09D165/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 艾晶;周春发 |
| 地址： | 中国台湾桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关于双面微影蚀刻的新制程技术，藉由在基板上、下两导电层的下导电层先施以保护手段，并于上导电层施以微影蚀刻制程后，再将保护手段去除，以可于下导电层再进行另一道微影蚀刻制程，以达到于同一基板的两面具有相同或不同图案布局的目的。其中保护手段是运用一新型树脂溶液干燥或硬化后形成膜层而达到保护的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 蚀刻 新制 | ||
【主权项】：
一种双面微影蚀刻新制程，至少包含以下步骤：A.将一基板的两面镀上导电金属层后形成一上导电层及一下导电层；B.施以一保护手段于该下导电层；C.将一光阻剂均匀涂覆于该上导电层，形成一光阻剂层；D.在该光阻剂层上方覆盖一光罩并以特定波长光照射；E.以一显影剂清洗，留下一图案化的光阻层；F.以一蚀刻液除去未有该图案化的光阻层及该保护手段保护的导电层。
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