[发明专利]冶金法太阳能多晶硅提纯用中频感应炉及多晶硅提纯方法无效

专利信息
申请号: 201210115652.0 申请日: 2012-04-19
公开(公告)号: CN102849741A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 张振海;杨大伟 申请(专利权)人: 北京民海艳科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100088 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种冶金法太阳能多晶硅提纯用中频感应炉及多晶硅提纯方法,中频感应炉炉体的中部为圆柱形,圆柱形两侧的炉体上分别设有一个短炉嘴和一个长炉嘴,在长炉嘴下部的炉体上设有吹气装置。方法是,首先配备两台不同容量的中频感应炉,前端的一号中频感应炉容量为1~12吨,后端的二号中频感应炉容量为一号中频感应炉容量的1/4~1/2;在一号中频感应炉中和二号中频感应炉中的提纯精炼时间均是3~4个小时,并在一号中频炉中精炼完后缓慢倒入二号中频炉中,同时一号中频炉中也要同时缓慢倒入工业硅炉新出的硅液,二号炉精炼的硅液再倒入定向凝固器中,三种装置连续作业、连续精炼,实现生产的连续性和产能的规模化。
搜索关键词: 冶金 太阳能 多晶 提纯 中频 感应炉 方法
【主权项】:
一种冶金法太阳能多晶硅提纯用中频感应炉,其特征在于,包括:炉体、上盖和吹气装置,所述炉体包括镁砂层、高铝浇注料层、石墨砖层和氧化锆层,所述石墨砖层和氧化锆层同为内层,氧化锆层处于石墨砖层的上部,镁砂层为外层,高铝浇注料层设置在镁砂层的外层和石墨砖层与氧化锆层的内层之间,所述炉体的中部为圆柱形,圆柱形两侧的炉体上分别设有一个短炉嘴和一个长炉嘴,在长炉嘴下部的炉体上设有吹气装置。
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