[发明专利]MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法无效
| 申请号： | 201210109738.2 | 申请日： | 2012-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102623543A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 张希清;胡佐富;刘凤娟;李振军;王永生 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 李鸿华 |
| 地址： | 100044 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种MgZnO/NPB紫外光探测器，主要用于产生低偏压、高响应的紫外光探测器。解决了无机宽禁带半导体p型掺杂问题和有机电子迁移率低的问题。该探测器是在石英ITO衬底上生长单相MgxZn1-xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。其制作方法为：将石英ITO衬底在MBE预生长室中预处理；在MBE生长室中生长温度为400-500℃下，生长厚度为200-350nm的MgxZn1-xO薄膜，其中X＝0.1-0.4；然后传入热蒸发中，在其上生长厚度为50-120nm NPB薄膜；在NPB薄膜上生长厚度为0.5-2nm的LiF电极修饰层；在LiF电极修饰层上制作电极，制作出石英ITO/MgxZn1-xO/NPB/LiF/电极结构的MgZnO/NPB紫外光探测器。 | ||
| 搜索关键词： | mgzno npb 紫外光 探测器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MgZnO/NPB紫外光探测器，其特征在于：MgZnO/NPB紫外光探测器是在石英ITO衬底上生长单相MgxZn1‑xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
