[发明专利]MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种MgZnO/NPB紫外光探测器，其特征在于：MgZnO/NPB紫外光探测器是在石英ITO衬底上生长单相Mg_xZn_1-xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。

2.根据权利要求1所述的一种MgZnO/NPB紫外光探测器，其特征在于：所述的单相Mg_xZn_1-xO中X＝0.1-0.4，厚度为200-350nm；所述的NPB薄膜厚度为50-120nm；所述的LiF薄膜厚度为0.5-2nm。

3.一种MgZnO/NPB紫外光探测器制作方法，其特征在于：该方法的步骤包括：

步骤一将清洗过的石英ITO衬底传入MBE的预生长室；

步骤二在预生长室750-850℃处理15-30分钟；

步骤三经步骤二处理的石英ITO衬底传入MBE的生长室，在生长温度400-500℃下，生长厚度为200-350nm的Mg_xZn_1-xO薄膜，其中X＝0.1-0.4；

步骤四将Mg_xZn_1-xO薄膜传入热蒸发中，在Mg_xZn_1-xO薄膜上，生长厚度为50-120nm NPB薄膜；

步骤五在NPB薄膜上生长厚度为0.5-2nm的LiF电极修饰层；

步骤六在LiF电极修饰层上制作电极，制作出石英ITO/Mg_xZn_1-xO/NPB/LiF/电极结构的MgZnO/NPB紫外光探测器。