[发明专利]存储器装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，该存储器装置包括接点配置、绝缘层、多个侧壁电极以及存储器材料，接点配置具有多个上表面，绝缘层位于该接点配置之上并具有一沟道，该沟道的配置中，至少具有一侧壁排列于多个接点的上表面，侧壁电极位于沟道的侧壁上并且具有多个电极上表面，其分别于接点中接触接点配置的上表面，侧壁电极分别包括氮化钽层以及电极材料层，氮化钽层是由TaxNy组成，其中y大于x，电极材料层比氮化钽层具有较低电阻及较低热阻，存储器材料与侧壁电极的电极上表面相接触。多个第二侧壁电极亦可形成沟道的一第二侧壁，第二侧壁位于接点配置里的多个第二接点上。

主权项

一种存储器装置，包括：一接点配置，具有多个上表面；一绝缘层，位于该接点配置之上，该绝缘层具有一沟道，该沟道的配置中，至少具有一第一侧壁排列于多个第一接点的该多个上表面；多个第一侧壁电极位于该沟道的该第一侧壁上，分别于多个第一接点中接触该接点配置的该多个上表面，该多个第一侧壁电极具有多个电极上表面，该多个第一侧壁电极分别包括：一第一氮化钽层，由TaxNy组成，其中，y大于x；以及一电极材料层，该电极材料层比该第一氮化钽层具有一较低电阻及一较低热阻；以及一存储器材料，与该多个第一侧壁电极的该多个电极上表面接触。