[发明专利]一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201210093089.1 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103364584A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 朱智源;于民;朱韫晖;孙新;陈兢;缪旻;金玉丰 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有硅通孔压阻式加速度传感器及其制造方法，属于微机械电子技术领域。本发明的压阻式加速度传感器包括含有硅通孔阵列的质量块，含硅通孔的硅基边框，多个弹性梁，压敏电阻及半导体底板；所述质量块位于加速度传感器中央并具有平整规则的顶面与底面；所述质量块中硅通孔分为填充通孔和非填充通孔；所述硅集边框上的硅通孔位于边框对角处，经由金属导线与压敏电阻相连；所述弹性梁一端与质量块顶部边缘连接，另一端与硅基边框内缘连接；所述压敏电阻位于弹性梁端部；所述质量块，硅基边框，弹性梁均固定在半导体底板上。本发明还公开了含有硅通孔压阻式加速度传感器的制造方法。本发明可用于现代工业生产、科学研究及日常生活中的多个应用领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 硅通孔压阻式 加速度 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种含有硅通孔压阻式加速度传感器，其包括含有硅通孔阵列的质量块，含硅通孔的硅基边框，多个弹性梁，压敏电阻及半导体底板；所述质量块，硅基边框，弹性梁均固定在半导体底板上，质量块位于加速度传感器中央并具有平整规则的顶面与底面，其特征在于，所述质量块中设有多个对称分布的填充通孔与非填充通孔，所述填充通孔与非填充通孔均与质量块梯形斜面部分不相接。
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