[发明专利]一种选择性发射极太阳电池及其制造方法

摘要

本发明提供一种选择性发射极太阳电池及其制造方法。现有技术采用多次高温热处理形成选择性发射极易使硅片出现退化。本发明的选择性发射极太阳电池的制造方法先在硅片上制作绒面并清洗，再在硅片正面的非电极区域涂敷扩散掩模浆料并烘干，之后将所述硅片置入扩散炉中通入扩散源在其正面扩散形成选择性发射极，接着在所述硅片背面形成背场和背面电极，最后在所述选择性发射极上形成正面栅极。本发明可减轻高温热处理对硅片的损伤，从而有效提高太阳电池的电性能。

主权项

一种选择性发射极太阳电池的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：a、在硅片上制作绒面并清洗；b、在硅片正面的非电极区域涂敷扩散掩模浆料；c、烘干所述扩散掩模浆料；d、将所述硅片置入扩散炉中通入扩散源在其正面扩散形成选择性发射极；e、在所述硅片背面形成背场和背面电极；以及f、在所述选择性发射极上形成正面栅极。