[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法有效
| 申请号： | 201210089533.2 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367595A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 刘芝蓉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括发光结构、形成于发光结构上的透明导电层、以及第一电极和第二电极，所述透明导电层上形成有透明保护层，该透明保护层上形成有若干穿孔，所述透明导电层经由穿孔裸露于透明保护层之外，裸露于穿孔的透明导电层的表面形成有微结构，改善出光效率。本发明还涉及一种发光二极管晶粒的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒，包括发光结构、形成于发光结构上的透明导电层、以及第一电极和第二电极，其特征在于：所述透明导电层上形成有透明保护层，该透明保护层上形成有若干穿孔，所述透明导电层经由穿孔裸露于透明保护层之外，裸露于穿孔的透明导电层的表面形成有微结构。
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