[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201210089073.3 | 申请日： | 2012-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103367561A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 金元浩;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20 |
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| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种发光二极管的制备方法，包括：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体预制层；在所述第二半导体预制层的表面设置一图案化掩膜层；对所述第二半导体预制层进行刻蚀，使每一挡墙对应的第二半导体预制层表面形成一第一三维纳米结构，所述第一三维纳米结构为条形凸起结构，所述条形凸起结构的横截面为弓形；去除所述掩膜层及所述基底，在所述第一半导体层远离活性层的表面设置一第一电极，并使所述第一电极与第一半导体层电连接；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，包括：提供一基底，所述基底具有一外延生长面；在所述外延生长面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体预制层；在所述第二半导体预制层的表面设置一图案化掩膜层，所述图案化掩膜层包括多个并排设置的挡墙，相邻的挡墙之间形成一沟槽，所述第二半导体预制层通过该沟槽暴露出来；对所述第二半导体预制层进行刻蚀，使每一挡墙对应的第二半导体预制层表面形成一第一三维纳米结构，所述第一三维纳米结构为条形凸起结构，所述条形凸起结构的横截面为弓形；去除所述掩膜层, 使第二半导体预制体层形成一图案化的第二半导体层；去除所述基底，在所述第一半导体层远离活性层的表面设置一第一电极，并使所述第一电极与第一半导体层电连接；以及设置一第二电极，使所述第二电极与所述第二半导体层电连接。
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