[发明专利]过热保护三端双向可控硅开关及其保护方法有效
| 申请号： | 201210088367.4 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102739221A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 尼克·汉姆;黄玉恩;章剑锋;马克·沃里克;安德鲁·巴特勒;金明豪 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/72 | 分类号： | H03K17/72;H03K17/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王玮 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种三端双向可控硅开关电路，包括：三端双向可控硅开关，具有第一和第二主端子(MT1、MT2)和栅极端子，以及晶闸管，连接在所述主端子(MT1、MT2)之一与所述三端双向可控硅开关电路的控制端子之间。当通过温度诱导泄漏电流接通晶闸管时，所述晶闸管用于防止所述三端双向可控硅开关的接通。 | ||
| 搜索关键词： | 过热 保护 双向 可控硅 开关 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种三端双向可控硅开关电路，包括：三端双向可控硅开关(10)，具有第一和第二主端子(MT1、MT2)以及栅极端子；以及晶闸管(30)，连接在所述主端子(MT1、MT2)之一与所述三端双向可控硅开关电路的控制端子之间。
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