[发明专利]电阻温度系数的检测结构及检测方法有效
| 申请号： | 201210085789.6 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102621468A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 高超;李冰寒;江红;胡勇;王哲献;于涛 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种电阻温度系数检测结构及检测方法，其中所述电阻温度系数检测结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的待测器件，所述待测器件的材料为多晶硅，所述待测器件两端分别连接有第一导电插塞，所述待测器件两端的第一导电插塞分别与第一金属互联线连接；相对所述待测器件设置的加热层，所述加热层的材料为多晶硅，所述加热层两端分别连接有第二导电插塞，所述第二导电插塞至少由两根导电插塞组成，所述加热层两端的第二导电插塞分别与第二金属互联线连接；位于所述待测器件上方的传感器，所述传感器两端分别与第三导电插塞连接。所述电阻温度系数检测结构能够提高对待测器件的加热速度和温度测试速度，进而提高检测电阻温度系数的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 温度 系数 检测 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻温度系数检测结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的待测器件，所述待测器件的材料为多晶硅，所述待测器件两端分别连接有第一导电插塞，所述待测器件两端的第一导电插塞分别与第一金属互联线连接；相对所述待测器件设置的加热层，所述加热层的材料为多晶硅，所述加热层两端分别连接有第二导电插塞，所述第二导电插塞至少由两根导电插塞组成，所述加热层两端的第二导电插塞分别与第二金属互联线连接；位于所述待测器件上方的传感器，所述传感器两端分别与第三导电插塞连接。
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