[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201210085255.3 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103367554A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底；在所述基底设置碳纳米管层；在基底生长一第一半导体层；去除所述基底及所述碳纳米管层，形成一具有一图案化的表面的第一半导体层；将所述第一半导体层生长一活性层及一第二半导体层；形成一第一电极与第一半导体层电连接，同时形成一第二电极与第二半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：步骤a，提供一具有第一外延生长面的用于支持外延层外延生长的基底；步骤b，在所述基底的第一外延生长面设置一包括多个碳纳米管且该多个碳纳米管连接为一体的碳纳米管层；步骤c，在基底的第一外延生长面外延生长一第一半导体层；步骤d，去除所述基底及所述碳纳米管层，形成一具有一图案化的表面的第一半导体层；步骤e，将所述第一半导体层的图案化的表面作为第二外延生长面，依次生长一活性层及一第二半导体层，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面与所述第一半导体层具有纳米微结构的表面相啮合；步骤f，形成一第一电极与第一半导体层电连接，同时形成一第二电极与第二半导体层电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210085255.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管封装方法
- 下一篇：一种抗风型复合绝缘子
