[发明专利]一种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺

摘要

本发明公开了一种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺，在扩散中采用双面扩散，其步骤是，首先进行低温氧化，低温预扩散，通入保护氮气，扩散温度在800－840℃，时间为10－50分钟；通氧再分布；在较高温度下推进扩散：切断携带磷源的氮气、氧气，将扩散温度升至820－860℃之间，在升温及稳定温度的过程中进行磷原子的推进扩散10－40分钟；扩散炉降温，并将硅片取出。这种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺采用双面扩散可以增强吸杂的效果，有效提高少子寿命，从而提高太阳能电池的效率。

主权项

一种高杂质含量太阳能电池的扩散工艺，其特征是，采用双面扩散，步骤如下：（1）使用常规工艺对硅片进行表面织构，清洗和干燥；（2）在一定温度下，将步骤（1）所得硅片采用双面扩散放置方式，放入扩散炉中，通入氮气；（3）低温预氧化：对扩散炉进行升温，通入氧气，时间为3‑10分钟；（4）预扩散：在一定温度下，通入携带POCl3的氮气，时间为10‑40分钟，进行预扩散；（5）通氧再分布：在一定的温度下，停止通入POCl3,通入氧气，时间是5‑10分钟；（6）高温推进扩散：切断氮气、氧气，将扩散炉温度提升，然后稳定一段时间，升温加上稳定的时间为总的推进时间，为10‑40分钟；（7）扩散过程结束，扩散炉降温，将硅片取出，制备完成。