[发明专利]光电元件有效
| 申请号： | 201210081404.9 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102916102A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈昭兴;沈建赋;洪详竣;柯淙凯;陈威佑 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光电元件，包含：一半导体叠层，包含：一第一半导体层、一主动层、及一第二半导体层；一第一电极与第一半导体层电性连接；一第二电极与第二半导体层电性连接，其中第一电极与第二电极有一最小距离D1；一第三电极形成在部分第一电极之上且与第一电极电性连接；及一第四电极形成在部分第一电极之上及部分第二电极之上且与第二电极电性连接，其中第三电极与第四电极有一最小距离D2，且第三电极与第四电极的最小距离D2小于第一延伸电极及第二电极的最小距离D1。本发明的光电元件具有较高的光摘出效率。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 元件 | ||
【主权项】：
一种光电元件，其特征在于，包含：一半导体叠层，包含：一第一半导体层、一主动层、及一第二半导体层；一第一电极与该第一半导体层电性连接；一第二电极与该第二半导体层电性连接，其中该第一电极与该第二电极有一最小距离(D1)；一第三电极形成在部分该第一电极之上且与该第一电极电性连接；及一第四电极形成在部分该第一电极之上及部分该第二电极之上且与该第二电极电性连接，其中该第三电极与该第四电极有一最小距离(D2)，且该第三电极与该第四电极的最小距离(D2)小于该第一电极与该第二电极的最小距离(D1)。
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