[发明专利]一种三氧化二钒薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210076298.5 申请日: 2012-03-21
公开(公告)号: CN102560635A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 张胤;吉彦达;黄江;冯大宇;林媛 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C30B25/02 分类号: C30B25/02;C30B29/16;C30B29/64;C01G31/02
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种三氧化二钒薄膜的制备方法,属于材料技术领域。本发明利用无机物偏钒酸盐作为钒源,通过添加水溶性聚合物和络合稳定剂形成均一长期稳定的钒前驱体溶液;利用所述钒前驱体溶液经旋涂、在密闭的高温高压管式炉里进行高温热处理获得三氧化二钒薄膜。本发明能够获得结构、性能良好的三氧化二钒薄膜,同时使用水替代传统化学溶液法制备三氧化二钒薄膜过程中的异丙醇作为溶剂,降低了成本。
搜索关键词: 一种 氧化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种三氧化二钒薄膜的制备方法,包括以下步骤:步骤1:配制无机偏钒酸盐聚合物水溶液;首先将带有氨基或者亚氨基基团的水溶性聚合物溶于水,得到溶液A;然后往溶液A中加入无机偏钒酸盐,搅拌至完全溶解,得到黄棕色溶液B;最后往溶液B中加入具有起稳定作用的络合剂,超声、搅拌至溶液澄清透明,得到无机偏钒酸盐聚合物溶液C;步骤2:采用超滤装置,滤去无机偏钒酸盐聚合物溶液C中游离的离子,并采用蒸发的方式除去溶液中的部分水以浓缩溶液,得到钒的聚合物前驱溶液;步骤3:将步骤2所得钒的聚合物前驱溶液旋涂于清洁的基片表面;步骤4:将旋涂了步骤2所得钒的聚合物前驱溶液的单晶基片置于650~900℃的环境中,并在还原气氛下热处理1小时以上,冷却后得到最终的三氧化二钒薄膜;所述热处理过程的实现装置采用高温高压管式炉,烧结气压应在0.2MPa以上;其中还原气氛采用氢气和氮气的混合气体。
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