[发明专利]熔敷方法以及熔敷装置有效
申请号: | 201210074242.6 | 申请日: | 2012-03-20 |
公开(公告)号: | CN102689439A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 提坂裕至;佐藤正和 | 申请(专利权)人: | 株式会社小糸制作所 |
主分类号: | B29C65/14 | 分类号: | B29C65/14;B29C65/16 |
代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 王礼华;肖鹂 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及熔敷方法以及熔敷装置。本发明的熔敷技术系在第一部件(1)上使得具有光透过性的第二部件(2)密接,从第二部件(2)侧照射被偏转控制的激光(L),在熔敷面(R)熔敷两部件,压板(14)配设在第二部件(2)的光照射面侧,入射角调整阶梯(141)设在压板(14),构成反射率减少手段,通过该反射率减少手段,减小第一部件(1)和第二部件(2)的在光照射面的光的入射角(θ1,θ2),减少在光照射面的激光的反射损耗,提高熔敷效率。在通过照射光进行部件熔敷的熔敷技术中,减少照射光的反射损耗,实现熔敷效率高的熔敷。 | ||
搜索关键词: | 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种熔敷方法,在第一部件上使得具有光透过性的第二部件密接,从上述第二部件侧照射由光偏转装置偏转控制的光,在上述密接面熔敷两部件,其特征在于:通过配设在上述第二部件的光照射面侧的反射率减少手段,减少照射在上述第二部件的光的反射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社小糸制作所,未经株式会社小糸制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210074242.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。