[发明专利]一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201210073365.8 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102544184A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘宝林;张玲;朱丽虹 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种横向结构的PIN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PIN太阳能电池设有p型(或n型)半导体层，p型(或n型)半导体层上设有凹槽，在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层，在本征半导体层(i层)和n型(或p型)半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜，在p型(或n型)半导体层底部蒸镀背电极。背电极的底部设有衬底。制备方法包括晶体硅等体材料太阳能电池和非晶硅等薄膜太阳能电池。提高晶体硅、非晶硅等半导体太阳能电池的转换效率，并有效降低其材料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 结构 pin 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种横向结构的PIN太阳能电池，其特征在于设有：p型半导体层，所述p型半导体层上设有凹槽，在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和n型半导体层，在本征半导体层(i层)和n型半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜，在p型半导体层底部蒸镀背电极；或设有n型半导体层，所述n型半导体层上设有凹槽，在凹槽内依次形成本征半导体层(i层)和p型半导体层，在本征半导体层(i层)和p型半导体层上再分别蒸镀上电极和减反膜，在n型半导体层底部蒸镀背电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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