[发明专利]一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法

摘要

一种横向结构的PN太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。横向结构的PN太阳能电池设有衬底，在衬底上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在半导体层底部蒸镀背电极，当衬底为p型半导体层时，半导体层为n型半导体层；当衬底为n型半导体层时，半导体层为p型半导体层。通过采用所述与表面平行的横向p-n结，即内建电场呈与表面平行分布的结构，光生载流子在所述横向结构中只有漂移运动而无需扩散运动，同时在保证空间电荷区有充分光吸收的前提下，所述横向结构能够大大缩短光生载流子的漂移路程。大大降低电池对硅材料的纯度要求，可显著地降低硅太阳能电池的材料成本。

主权项

一种横向结构的PN太阳能电池，其特征在于设有衬底，在衬底上设有凹槽，在凹槽内通过扩散或外延等方法形成半导体层，在半导体层上分别蒸镀上电极和减反膜，在半导体层底部蒸镀背电极，当所述衬底为p型半导体层时，所述半导体层为n型半导体层；当所述衬底为n型半导体层时，所述半导体层为p型半导体层。