[发明专利]基于异向介质的光电器件抗反射层结构无效
| 申请号： | 201210072386.8 | 申请日： | 2012-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102593192A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 孙洪文;朱玉峰;仇浩;万萍;范瑞 | 申请（专利权）人： | 河海大学常州校区 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 孙彬 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于异向介质的光电器件抗反射层结构，该抗反射层由具有负介电常数和负磁导率的异向介质材料制成，且异向介质呈周期性排列结构。本发明使得光电器件具有更高的抗反射能力，能够提高光电器件的光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 介质 光电 器件 反射层 结构 | ||
【主权项】：
一种基于异向介质的光电器件抗反射层结构，其特征在于：该抗反射层由具有负介电常数和负磁导率的异向介质材料制成，且异向介质呈周期性排列结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
