[发明专利]一种大功率LED的制备方法无效
| 申请号： | 201210066482.1 | 申请日： | 2012-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN102593286A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 杨新民;王汉华;项艺;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大功率LED的制造方法，属于半导体芯片制备技术领域。所述一种大功率LED的制备方法包括：在衬底上或衬底上形成的缺陷阻挡层上形成具有平面部分的图形结构，制备外延生长层，制备电极，磨片，衬底背面镀金属层和增反层，划片，裂片。本发明所述的一种大功率LED的制备方法采用激光隐形切割技术，将激光聚焦于晶圆内部，形成变质层，可以有效减少激光与衬底相互作用产生的热效应，从而减少对有源层的伤害，减少破片，减小切割厚度，增加芯片个数，提高芯片的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大功率LED的制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：a) 通过刻蚀技术在衬底上形成具有平面部分的图形结构;b) 在衬底上生长外延;c) 在外延层上依次制备P型电极极和N型电极;d) 将衬底减薄;e) 在衬底背面镀上增反层和金属层;f) 在衬底正面进行划片，裂片及扩张，形成多个LED芯片单元。
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