[发明专利]微机电装置的扩散阻挡层无效
| 申请号： | 201210065596.4 | 申请日： | 2006-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102608754A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 王新福;唐明华;斯蒂芬·奇 | 申请（专利权）人： | 高通MEMS科技公司 |
| 主分类号： | G02B26/00 | 分类号： | G02B26/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 装置 扩散 阻挡 | ||
【主权项】：
一种制造干涉式调制器的方法，其包含：沉积硅层；将扩散阻挡层沉积于所述硅层上；将包括金属的金属层沉积于所述扩散阻挡层上，其中所述扩散阻挡层适合于实质上抑制所述硅层的任何部分与所述金属层的任何部分混合；及利用能够蚀刻所述硅而不是硅与所述金属的合金的蚀刻剂蚀刻所述硅层。
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