[发明专利]三结太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201210064787.9 | 申请日： | 2012-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN102569476A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王良均;丁杰;刘建庆;林桂江;毕京锋;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0735 | 分类号： | H01L31/0735;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种三结太阳能电池及其制备方法，其特征在于三结电池中的顶电池和中电池的背电场均采用AlxGa1-xAs/AlAs异质结结构。本发明可提高顶电池外延生长材料的禁带宽度（Eg），提高三结电池的开路电压（Voc），同时可增加顶电池和中电子基区光生载流子的收集，提高三结电池的短路电流（Isc），从而进一步提高三结电池的光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
三结太阳能电池，包含：顶电池、中电池、底电池以及两个隧穿结，其特征在于：顶电池和中电池的背电场均为AlxGa1‑xAs/AlAs异质结结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
